A Highly Linear Single-Balanced Resistive X-band MMIC Mixer in GaN HEMT Technology
Author:
Affiliation:
1. DTU Space Technical University of Denmark,Kgs. Lyngby,Denmark
2. Leibniz Inst. für Höchstfrequenztechn.,Ferdinand Braun Institut (FBH),Berlin,Germany
Funder
Ministry of Education
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10633888/10633907/10633931.pdf?arnumber=10633931
Reference9 articles.
1. Signal generation, control, and frequency conversion AlGaN/GaN HEMT MMICs
2. Reaching New Levels of Linearity in Passive Mixers with GaN Technology;Trantanella,2017
3. A Single-Ended Resistive $X$-Band AlGaN/GaN HEMT MMIC Mixer
4. AlGaN/GaN Mixer MMICs, and RF Front-End Receivers for C-, Ku-, Ka-band Space Applications;Do
5. Design of a GaN-on-Si Single-Balanced Resistive Mixer for Ka-band Satcom
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