Capacitance RF Characterization and Modeling of 28 FD-SOI CMOS Transistors down to Cryogenic Temperature
Author:
Affiliation:
1. Univ. Grenoble Alpes,CEA-Leti,France
2. Univ. Grenoble Alpes, Univ. Savoie Mont Blanc, CNRS, Grenoble INP, IMEP-LAHC,France
3. STMicroelectronics,France
Funder
Labex
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10288583/10288635/10289100.pdf?arnumber=10289100
Reference18 articles.
1. On the Zero Temperature Coefficient in Cryogenic FD-SOI MOSFETs
2. Extensive Electrical Characterization Methodology of Advanced MOSFETs Towards Analog and RF Applications
3. Record RF Performance (ft =180 GHz and fmax =240 GHz) of a FDSOI NMOS processed within a Low Thermal Budget for 3D Sequential Integration;frutuoso;Symp VLSI Technol Tech Dig,2021
4. RF performances at cryogenic temperatures of inductances integrated in a FDSOI technology
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