E-band Downlink GaN PA with a Homogeneous Output Power of 2.7W and a Peak PAE of 32.3%
Author:
Affiliation:
1. Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF),Germany
2. Ericsson Research, Ericsson AB,Sweden
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10288583/10288635/10288779.pdf?arnumber=10288779
Reference18 articles.
1. New Low-Frequency Dispersion Model for AlGaN/GaN HEMTs Using Integral Transform and State Description
2. Fundamentals of RF and Microwave Transistor Amplifiers
3. A Novel CAD Probe for Bidirectional Impedance and Stability Analysis
4. Dual-gate HEMT parameter extraction based on 2.5D multiport simulation of passive structures
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