Analysis of Miller Region Sustained Oscillations during Turn-on of High-Side 10kV SiC MOSFET

Author:

Kjærsgaard Benjamin Futtrup1,Jørgensen Asger Bjørn1,Aunsborg Thore Stig1,Jørgensen Jannick Kjær1,Liu Gao1,Zhao Hongbo1,Munk-Nielsen Stig1,Rannestad Bjørn2

Affiliation:

1. Aalborg University - AAU Energy,Aalborg,Denmark

2. KK Wind Solutions,Ikast,Denmark

Funder

Innovation Fund

Siemens

Vestas

Publisher

IEEE

Reference20 articles.

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Comparison of Two Third-Generation 10 kV SiC MOSFET Die’s Switching Performance on a System Level;2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2024-ECCE Asia);2024-05-17

2. Discovery of Loss Imbalance in SiC Half-Bridge Power Modules – Analysis and Validations;IEEE Transactions on Power Electronics;2024-05

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