AlGaN/GaN Schottky Barrier Single-Pole Single-Throw RF Switch
Author:
Affiliation:
1. Institute of Radioelectronics and Multimedia Technology Warsaw University of Technology,Warsaw,Poland
2. Institute of High Pressure Physics PAS,CENTERA Laboratories,Warsaw,Poland
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9924553/9924623/09925012.pdf?arnumber=9925012
Reference4 articles.
1. A survey of Gallium Nitride HEMT for RF and high power applications
2. Chalcogenide Phase Change Material GeTe Based Inline RF SPST Series and Shunt Switches
3. Graphene/AlGaN/GaN RF Switch
4. State of the Art Sub-Terahertz Switching Solutions
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1. AlGaN/GaN Distributed Schottky Barrier Single-Pole Single-Throw Millimeter-Wave Switches;IEEE Access;2023
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