Top Heat Spreaders on GaN-based HEMT devices for improved thermal management
Author:
Affiliation:
1. III-V Lab,Palaiseau,France
2. Nanyang Technological University,Singapore,639798
3. Ulm University,Inst.of Elec Devices and Circuits Dept,Ulm,Germany
Funder
Seventh Framework Programme
National Research Foundation
Agence Nationale de la Recherche
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9924553/9924623/09924627.pdf?arnumber=9924627
Reference7 articles.
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4. Diam. Rel. Mat;rabarot,2010
5. Modulating the thermal conductivity in hexagonal boron nitride via controlled boron isotope concentration Nature Communications;yuan;Physics,2019
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