A E-Band Receiver With 8.8dB Noise Figure in 55-nm CMOS
Author:
Affiliation:
1. University of Science and Technology of China,Electronic Science and Technology,Hefei,China,230026
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10249211/10249015/10249444.pdf?arnumber=10249444
Reference4 articles.
1. A 60-GHz Dual-Mode Class AB Power Amplifier in 40-nm CMOS
2. A Ka-Band Power Amplifier With 14.2-dBm Power in 65-nm CMOS
3. A 60 GHz, 50 mW, 3dB Noise Figure Receiver Frontend Using UMC 40 nm CMOS technology
4. 77–110GHz 90nm-CMOS receiver design;yu;2013 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings (APMC),0
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