Modelling and design of a wideband 6–18 GHz GaN resistive mixer
Author:
Affiliation:
1. Department of Electronics, University of Bologna, Viale Risorgimento 2, 40136 Bologna, Italy
2. I.E.M.N., U.M.R.-C.N.R.S. 8520, U.S.T.L., Avenue Poincaré - B.P. 60069, 59652 Villeneuve D'Ascq Cedex, France
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/5286913/5295900/05295933.pdf?arnumber=5295933
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1. Demonstration of a Ku-Band N-Path Downconverter in GaN-on-SiC;2023 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS);2023-10-16
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