Structure and growth behavior of low N-doped diamond film by microwave plasma assisted chemical vapor deposition

Author:

Liu Yan-Yan ,Bauer-Grosse E. ,Zhang Qing-Yu ,

Abstract

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,在甲烷和氢气的混合气体中,通过掺入微量氮气的方法,合成了掺氮金刚石薄膜.利用扫描电子显微镜、拉曼光谱和透射电子显微镜对薄膜的形貌和结构进行了表征.研究结果表明:处于基片中心位置的薄膜具有比较高的成核密度,成核密度高达4.8×108 cm-2,并且具有〈001〉的择优取向,晶粒呈立方金刚石特征,但沿{111}晶面生长时存在大量层错.处于基片边缘的薄膜成核密度较低,晶粒为6H型多型金刚石结构,而且多型金刚石的出现,导致金刚石孪晶关系的变化.此外,根据薄膜的生长速率,探讨了MPCVD过程中掺氮对薄膜生长行为的影响.

Publisher

Acta Physica Sinica, Chinese Physical Society and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences

Subject

General Physics and Astronomy

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