CNTFET VDGA based ultra-low power low voltage high frequency filter applications
-
Published:2023-08-24
Issue:
Volume:
Page:
-
ISSN:1300-1884
-
Container-title:Gazi Üniversitesi Mühendislik-Mimarlık Fakültesi Dergisi
-
language:tr
-
Short-container-title:GUMMFD
Author:
SUNCA Şeyda1ORCID, ALÇI Mustafa2ORCID
Affiliation:
1. TOKAT GAZİOSMANPAŞA ÜNİVERSİTESİ, MÜHENDİSLİK VE MİMARLIK FAKÜLTESİ, ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 2. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ, MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Abstract
MOSFET boyutlarının ölçeklendirilmesinde sınır değere yaklaşılmasıyla birlikte birçok problem ortaya çıkmıştır. MOSFET’in boyutlarının küçültülmesiyle ortaya çıkan kısa kanal etkileri ve azaltılmış geçit kontrolü gibi birçok problemler için alternatif çözüm yolları araştırılmıştır. Karbon Nanotüp Alan Etkili Transistör (CNTFET- Carbon Nanotubes Field Effect Transistors) üstün elektriksel ve mekaniksel özellikleri ile MOSFET’ in yerini alacak en uygun alternatif olarak düşünülmektedir. Bu çalışmada, 32 nm CNTFET kullanılarak Voltaj Farkı Alan Kazanç Kuvvetlendirici (VDGA-Voltage Differencing Gain Amplifier) yapısının benzetim çalışmaları yapılmıştır. Buna ek olarak CNTFET VDGA yapısı ile üç girişli tek çıkışlı filtre yapısı sunulmuştur. ±0.3V düşük besleme voltajında ve 1µA düşük kutuplama akımında gerçekleştirilen filtre yapısı, CMOS VDGA ile gerçekleştirilen filtre yapısına kıyasla 22,909 MHz gibi daha yüksek merkez frekansına sahiptir. Ayrıca CNTFET VDGA yapısıyla gerçekleştirilen filtre 8,3412 µW düşük güç tüketimine sahiptir.
Publisher
Journal of the Faculty of Engineering and Architecture of Gazi University
Subject
General Engineering,Architecture
Reference29 articles.
1. 1. Bala, S., Khosla, M., Electrostatically doped tunnel CNTFET model for low-power VLSI circuit design, Journal of Computational Electronics, 17 16(4), 1528-1535, 2018. 2. 2. Zarandi, A. D., Reshadinezhad, M. R., Rubio, A., A systematic method to design efficient ternary high performance CNTFET-based logic cells, IEEE access, 8, 58585-58593, 2020. 3. 3. Obite, F., Ijeomah, G., Bassi, J. S., Carbon nanotube field effect transistors: toward future nanoscale electronics, International Journal of Computers and Applications, 41 (2), 149-164, 2019. 4. 4. Sachid, A. B., Chen, M. C., Hu, C., FinFET With High-$\kappa $ Spacers for Improved Drive Current, IEEE electron device letters, 37 (7), 835-838, 2016. 5. 5. Bala, S., Khosla, M., Design and simulation of nanoscale double-gate TFET/tunnel CNTFET, Journal of Semiconductors, 39 (4), 044001, 2018.
|
|