Ion sensing with single charge resolution using sub–10-nm electrical double layer–gated silicon nanowire transistors

Author:

Hu Qitao1ORCID,Chen Si1ORCID,Solomon Paul2ORCID,Zhang Zhen1ORCID

Affiliation:

1. Division of Solid State Electronics, Department of Electrical Engineering, Uppsala University, BOX 65, SE-75103 Uppsala, Sweden.

2. IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, USA.

Abstract

Activities of a single hydrogen ion are directly detected using sub–10-nm silicon nanowire transistors.

Publisher

American Association for the Advancement of Science (AAAS)

Subject

Multidisciplinary

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