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InAs∕AlSb quantum cascade lasers operating at 6.7 [micro sign]m

  • Published:2003 Issue:17 Volume:39 Page:1252
  • ISSN:0013-5194
  • Container-title:Electronics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Electron. Lett.

Author:

Teissier R.,Barate D.,Vicet A.,Yarekha D.A.,Alibert C.,Baranov A.N.,Marcadet X.,Garcia M.,Sirtori C.

Publisher

Institution of Engineering and Technology (IET)

Subject

Electrical and Electronic Engineering

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1. Lasing of a Quantum-Cascade Laser with a Thin Upper Cladding;Optics and Spectroscopy;2019-08

2. Semiconductor infrared plasmonics;Nanophotonics;2019-05-31

3. Quantum Cascade Lasers in the InAs/AlSb Material System;IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics;2015-11

4. Thin AlGaN cladding, blue-violet InGaN laser diode with plasmonic GaN substrate;SPIE Proceedings;2013-03-04

5. Interband cascade (IC) lasers;Semiconductor Lasers;2013
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