1. LE GOASCOZ, V., BOREL, J., and RIGAUX, G.: ‘Effets de commutation dans les oxyde de silicium Dopés par implantation d'ions’. Note Technique LETI/ME 773, 1971
2. Wilson, R.G., and Brewer, G.R.: ‘Ion beams’, (Wiley, New York 1973),chap. 4, p. 201–398
3. RAGAIE H.F., LE GOASCOZ V.: ‘Low temperature metallic diffusion in gate SiO2layers of MOS devices’. Abstracts of ESSDERC, 1978, pp. 145–146