Local bipolar-transistor gain measurement for VLSI devices-Reference-Cited by-同舟云学术

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Local bipolar-transistor gain measurement for VLSI devices

Published:1981 Issue:4 Volume:128 Page:148
ISSN:0143-7100
Container-title:IEE Proceedings I Solid State and Electron Devices
language:en
Short-container-title:IEE Proc. I Solid State Electron. Devices UK

Author:

Bonnaud O.,Chante J.P.

Publisher

Institution of Engineering and Technology (IET)

Subject

General Engineering

Link

https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/ip-i-1.1981.0038?crawler=true&mimetype=application/pdf

Reference7 articles.

1. Bonnaud, O.: ‘Etude du gain interne d'un transistor par la méthode de avalanche en faible multiplication’, 1978, Thése 744, Université de Lyon

2. Thouy, M.: ‘Contribution à l' etude de l'efficacité d'injection des transistors bipolaires’, 1976, Thése 1915, Université de Toulouse

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