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Effect of silicon nanowire etching on signal‐to‐noise ratio of SiNW FETs for (bio)sensor applications

  • Published:2013-06 Issue:13 Volume:49 Page:782-784
  • ISSN:0013-5194
  • Container-title:Electronics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Electron. lett.

Author:

Moh T.S.Y.1,Nie M.2,Pandraud G.1,Smet L.C.P.M.3,Sudhölter E.J.R.3,Huang Q‐A.2,Sarro P.M.1

Affiliation:

1. Delft University of TechnologyDelft Institute of Microsystems and NanoelectronicsDelftThe Netherlands

2. Key Laboratory of MEMS of Ministry of EducationSoutheast UniversityNanjingPeople's Republic of China

3. Department of Chemical EngineeringOrganic Materials and Interfaces DelftDelft University of TechnologyDelftThe Netherlands

Publisher

Institution of Engineering and Technology (IET)

Subject

Electrical and Electronic Engineering

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