Abstract
Изготовлены квантовые точечные контакты (QPC) в двумерном электронном газе гетероструктур
GaAs/AlGaAs и выполнены измерения отклика туннельного кондактанса устройств на терагерцовое
облучение [1] (рис.1,2). Поляризационные измерения (рис.2) показывают, что отклик зависит только
от компоненты внешнего ВЧ поля E(ω), которая направлена вдоль тока в узком месте. Это позволяет
свести объяснение к численному решению одномерной задачи о фотон-ассистированном
прохождении через барьер U(x,t)≈ [V+Aсos(ωt)]/ch2
(x/W). Для такого барьера давно предсказаны два
эффекта. Первый из них – гигантский рост коэффициента прохождения D частицы с начальной
энергией E<V при низких и умеренных частотах [2-4] (вплоть до 0.7 ТГц для туннельного контакта с
W≈100 нм в двумерном электронном газе GaAs/AlGaAs структур [4]). Второй эффект – это выход при
высоких частотах на значение D0(E), отвечающее статическому барьеру [2,3]. В работе [1] впервые
наблюдались оба эффекта, а результаты моделирования мультифотонного прохождения электрона
через туннельный барьер в изготовленных структурах хорошо соответствуют измерениям на частотах
f от 0.14 до 1.63 ТГц.
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS
Reference4 articles.
1. M. Otteneder, Z.D. Kvon, O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, A.S. Jaroshevich, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, S.D. Ganichev//Phys. Rev. Applied. 2018. V.10, P. 014015(1-9).
2. K.Yakubo, S.Feng, Q. Hu // Phys.Rev. B. 1996. V. 54. P. 7987–7995.
3. J.-Y.Ge, J. Z. H. Zhang//J. Chem. Phys. 1996. V. 105. P. 8628–8632.
4. O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, D.G. Baksheyev, H. Nejoh. In: «Quantum coherence and decoherence». Eds. K. Fujikawa,Y.A. Ono. New York, Elsevier. 1996. P. 207–210.