Abstract
Наноструктурированные магнитные полупроводники (МПП) представляют интерес как
функциональные материалы с управляемыми оптическими и радиочастотными свойствами. Среди
физических способов получения однофазных наноматериалов перспективными являются размол в
вибромельнице и пластическая деформация под давлением [1]. Оптические и магнитооптические
(МО) методы являются эффективными инструментами изучения особенностей наноматериалов [2]. В
тоже время мало данных об особенностях магнитооптических свойств наноструктурированных МПП.
Практический интерес представляют МПП, обладающие прозрачностью в ИК-области спектра и
большими магнитооптическими и магнитотранспортными эффектами: шпинели (Cd,Hg)Cr2Se4,
манганиты A1-хBхMnO3, феррит-гранаты и т.д. По специально разработанной технологии были
созданы высокоплотные ИК-прозрачные нанокерамики и прессованные многокомпонентные и
полимерные гибкие нанокомпозиты [3].
В результате исследований были определены основные особенности электронной структуры и
оптических свойств наноструктурированных МПП в сравнении с моно- и поликристаллами, оценена
роль размерного фактора, дефектности и восстановительных отжигов в формировании электронных и
магнитных свойств наноматериалов [4,5]. Обнаружены эффекты магнитопоглощения и
магнитоотражения ИК-излучения в нанокерамиках и нанокомпозитах МПП, сравнимые с пленками и
монокристаллами [6,7]. Обнаружен гигантский эффект Фарадея в нанокерамиках ЖИГ [8]. Получен
эффект сдвига края фундаментального поглощения в нанокерамике оксидов меди [9]. Показано, что в
МПП гигантские МО эффекты наблюдаются и в ТГц области частот [10]. При этом частота
модуляции излучения за счет эффекта магнитопропускания в среднем ИК-диапазоне может достигать
в МПП порядка 109
-1014 Гц [11].
Таким образом, высокоплотная нанокерамика и нанокомпозиты могут заменить монокристаллы и
позволяют варьировать температурный и спектральный рабочий диапазон МПП. Полученные
эффекты быть использованы для создания оптических элементов высокочастотных модуляторов
среднего ИК и ТГц диапазона.
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS
Reference11 articles.
1. Б.А. Гижевский и др. // Петрология. 2012. Т.20, вып.4. С.351-366.
2. A.V. Telegin et al. // J. Supercond. Nov. Magn. 2012. V.25, Iss.8, P.2683-2686.
3. А.В. Телегин и др. // Патент на изобретение № 2497166. Бюллетень №30 от 27.10.2013
4. E.V. Mostovshchikova et al. // Sol. Stat. Phenomena. 2012. V.190, P.683-687.
5. V.R. Galakhov et al. // J. of Appl. Phys. A. 2015. V.118, P. 649–654.