Abstract
Полупроводниковые зеркала с насыщающимся поглощением [1] – ключевой элемент в получении
устойчивого режима синхронизации мод лазеров. Такие зеркала обязаны обеспечивать насыщаемое
поглощение заданного уровня в спектральной области усиления данного лазера; обладать быстрым
просветлением и восстановлением потерь (быстродействие); обеспечивать высокий коэффициент
отражения в спектральной области усиления данного лазера (широкополосность). Эти зеркала
должны обладать высоким оптическим качеством (низким уровнем ненасыщаемых потерь) во всей
спектральной области усиления данного лазера; быть устойчивыми к высоким интенсивностям
рабочего излучения. Часто требуется способность таких оптических затворов стартовать с низкого
уровня плотности энергии излучения; желательны большой срок службы зеркал, низкая стоимость,
независимость от импорта. Список этих, зачастую противоречивых, требований, несомненно, будет
расти по мере развития лазерной техники.
В докладе сообщается о достижениях в проектировании, исследовании и изготовлении
широкополосных и быстродействующих зеркал, включающих слои квантовых ям A3B5 и
предназначенных для лазеров ближнего ИК
диапазона. Рассмотрены зеркала монолитные,
выращенные из полупроводниковых
сверхчистых материалов типа [2-4]; зеркала с
диэлектрическим отражателем и с переносом
полупроводниковых структур на диэлектрик
типа [5].
Последний тип зеркал показал высокое
отражение в области ближнего ИК (ширина
оптического стола 200 нм), уровень
насыщаемых потерь до 40%, регулируемых
количеством квантовых ям, а также
быстродействие (время восстановления
работоспособности зеркала) ~ 2 пс – время
релаксации τ2 на рисунке. Значения времен
релаксации соответствуют времени ионизации
экситонов τ1, времени установления квазиравновесия фотогенерированных носителей заряда τ3 и времени электронно-дырочной рекомбинации
τ2, определяющему быстродействие оптического затвора.
Измеренное быстродействие позволяет надеяться на получение фемтосекундных импульсов
ближнего ИК диапазона с частотой следования порядка 1 ГГц
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS