Многофононная релаксация состояний двойных доноров серы и селена в кремнии / Бекин Н.А.

Author:

Abstract

Работа посвящена теоретическим оценкам вероятности многофононной релаксации в двойных донорах серы, S, и селена, Se. Рассматривается случай как нейтральных, так и однократно ионизованных доноров. Для расчетов используются простые модельные представления, игнорирующие многодолинный характер волновых функций. Таким образом, речь идет о получении грубых качественных оценок, исходя, главным образом, из энергетического зазора между вовлеченными в переход состояниями и локализации их волновых функций. Кроме того, для нейтральных доноров S0 и Se0 используется одноэлектронное приближение. А именно, используется модельное представление, что один из двух локализованных на доноре электронов находится на глубокой орбите, частично экранируя заряд иона. Таким образом, движение второго электрона, совершающего безызлучательные переходы, рассматривается в поле однократно заряженного остова. Для основного состояния нейтрального донора также использовалась одноэлектронная волновая функция, хотя это грубое приближение. Рассматривается переход между триплетным уровнем 1s(T2) и основным состоянием 1s(A1). Для расчетов волновых функций обоих уровней использовался метод квантового дефекта, а вид волновой функции соответствовал симметрии 1s водородоподобного центра с изотропной эффективной массой. Вероятности переходов рассчитывались в адиабатическом приближении. Использовался приближенный метод суммирования вкладов в вероятность перехода с учетом дисперсии фононов [1]. Предполагалось, что релаксация происходит при испускании оптических фононов одного типа – LO или TO. Закон дисперсии фононов считался изотропным параболическим,   2 0 2 q  max 1)(  qq , где 64  max  мэВ, величина q0 выбиралась из условия, что минимальная частота, достигаемая на границе зоны Бриллюэна, соответствует частоте LO- или TO-фононов в точке X зоны Бриллюэна [2]. Зона Бриллюэна предполагалась сферически симметричной. Значение деформационного потенциала, 8 D  106.2 эВ/см, выбрано для всех доноров путем подгонки к экспериментальным данным по времени жизни уровня 1s(T2) в Se+ :   5.5 нс [3]. Такая процедура подгонки эквивалентна введению усредненной по зоне Бриллюэна константы электрон-фононной связи, приближенно учитывая сильную локализацию вовлеченных в переход состояний.

Publisher

Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS

Reference3 articles.

1. Goguenheim, M. Lannoo, J. Appl. Phys., 68, 1059 (1990).

2. A. Dargys, J. Kundrotas, Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP, Vilnius (1994).

3. K. J. Morse et al., Sci. Adv. 3, e1700930 (2017).

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3