Abstract
Работа посвящена теоретическим оценкам вероятности многофононной релаксации в двойных
донорах серы, S, и селена, Se. Рассматривается случай как нейтральных, так и однократно
ионизованных доноров. Для расчетов используются простые модельные представления,
игнорирующие многодолинный характер волновых функций. Таким образом, речь идет о получении
грубых качественных оценок, исходя, главным образом, из энергетического зазора между
вовлеченными в переход состояниями и локализации их волновых функций. Кроме того, для
нейтральных доноров S0 и Se0 используется одноэлектронное приближение. А именно, используется
модельное представление, что один из двух локализованных на доноре электронов находится на
глубокой орбите, частично экранируя заряд иона. Таким образом, движение второго электрона,
совершающего безызлучательные переходы, рассматривается в поле однократно заряженного остова.
Для основного состояния нейтрального донора также использовалась одноэлектронная волновая
функция, хотя это грубое приближение.
Рассматривается переход между триплетным уровнем 1s(T2) и основным состоянием 1s(A1).
Для расчетов волновых функций обоих уровней использовался метод квантового дефекта, а вид
волновой функции соответствовал симметрии 1s водородоподобного центра с изотропной
эффективной массой. Вероятности переходов рассчитывались в адиабатическом приближении.
Использовался приближенный метод суммирования вкладов в вероятность перехода с учетом
дисперсии фононов [1]. Предполагалось, что релаксация происходит при испускании оптических
фононов одного типа – LO или TO. Закон дисперсии фононов считался изотропным параболическим,
2
0
2
q max 1)( qq , где 64 max мэВ, величина q0 выбиралась из условия, что минимальная
частота, достигаемая на границе зоны Бриллюэна, соответствует частоте LO- или TO-фононов в
точке X зоны Бриллюэна [2]. Зона Бриллюэна предполагалась сферически симметричной. Значение
деформационного потенциала, 8 D 106.2 эВ/см, выбрано для всех доноров путем подгонки к
экспериментальным данным по времени жизни уровня 1s(T2) в Se+
: 5.5 нс [3]. Такая процедура
подгонки эквивалентна введению усредненной по зоне Бриллюэна константы электрон-фононной
связи, приближенно учитывая сильную локализацию вовлеченных в переход состояний.
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS
Reference3 articles.
1. Goguenheim, M. Lannoo, J. Appl. Phys., 68, 1059 (1990).
2. A. Dargys, J. Kundrotas, Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP, Vilnius (1994).
3. K. J. Morse et al., Sci. Adv. 3, e1700930 (2017).