Гальваномагнитные свойства и электронная структура сплавов Pb1-x-ySnxScyTe / Скипетров Е.П., Хворостин А.В., Ковалев Б.Б., Богданов Е.В., Кнотько А.В., Слынько В.Е

Author:

Abstract

В теллуриде свинца глубокие уровни примесей из первой половины ряда 3d-переходных металлов (Sc, Ti, V, Cr) в основном являются донорными резонансными уровнями [1-4]. В частности, уровень скандия расположен высоко в зоне проводимости: EScEc+280 мэВ при T=4.2 K. В настоящей работе для получения дополнительных доказательств присутствия уровня скандия в электронном спектре теллурида свинца и определения характера его движения относительно краев зон при изменении состава матрицы исследованы температурные зависимости гальваномагнитных параметров (4.2T300 K, B0.07 Тл) образцов из монокристаллического слитка Pb1-x-ySnxScyTe (x=0.08, y=0.02). Установлено, что при увеличении концентрации скандия вдоль слитка концентрация дырок уменьшается и происходит p-n-инверсия типа проводимости. Затем концентрация электронов увеличивается и стремится к насыщению на уровне nsat1020 см-3, что указывает на «мягкую» стабилизацию уровня Ферми резонансным уровнем скандия в сильно легированных образцах. Для определения положения резонансного уровня скандия ESc в рамках шестизонного закона дисперсии Диммока по значениям концентраций носителей заряда при T=4.2 K для каждого образца определено положение уровня Ферми относительно краев зон при изменении состава матрицы (рис. 1). Сопоставление полученных результатов с известными данными для Pb1-yScyTe (y=0.01) [1] показало, что при меньшей ширине запрещенной зоны максимальная концентрация электронов в сильно легированных образцах Pb1-x-ySnxScyTe примерно на 10% больше, чем в Pb1-yScyTe. Поэтому заметных изменений положения уровня скандия ESc относительно середины запрещенной зоны Ei нет и с ростом концентрации олова в сплавах уровень скандия, скорее всего, движется параллельно середине запрещенной зоны. Эти результаты могут считаться прямым подтверждением существования эффекта пиннинга уровня Ферми уровнем скандия, т.к. при различающихся вдвое концентрациях примеси насыщение зависимости n(y) наблюдается почти на одном и том же уровне.

Publisher

Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS

Reference4 articles.

1. E.P. Skipetrov et al., J. Appl. Phys., 115, 133702 (2014).

2. F.F. Sizov et al., Sov. Phys. Semicond., 14, 1063 (1980).

3. A.A. Vinokurov et al., Inorg. Mater., 44, 576 (2008).

4. L.M. Kashirskaya et.al., Sov. Phys. Semicond., 24, 848 (1990).

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3