Abstract
Стремительный рост скорости процессов Оже-рекомбинации (ОР) при уменьшении ширины
запрещенной зоны, присущий традиционным полупроводниковым материалам, является одним из
главных препятствий для создания лазеров инфракрасного и терагерцового диапазона. Естественно,
что наиболее остро проблема ОР встает в случае отсутствия энергетической щели как таковой.
Однако, в недавно открытых материалах с ультрарелятивистским законом дисперсии носителей -
полуметаллах Вейля (ПМВ) [1] - ОР может быть сильно (на
несколько порядков) подавлена [2].
В случае строго изотропного закона дисперсии или наличия
единственной точки Вейля во всей зоне Бриллюэна процесс
ОР оказывается запрещенным законами сохранения, а его
интенсивность в пределе малого дополнительного рассеяния
стремится к нулю (в отличие от графена [3]). Однако, во всех
экспериментально открытых и предсказанных ПМВ имеется
как минимум одна группа вейлевских точек (в "семействе"
TaAs - две, W1 и W2, содержащие совместно 24 точки Вейля).
Энергетический спектр является анизотропным из-за
низкосимметричного положения точек Вейля, причем
ориентация главных осей в каждой точке - своя. В меру
различия законов дисперсии носителей E(k) между
различными точами Вейля (относительно единой системы
координат волнового вектора) ОР в реальных ПМВ становится
возможной, причем, в зависимости от того, идут ли обе
"половинки" процесса в долинах одной группы или разных, соответствующие процессы можно
разделить на внутригрупповые и межгрупповые. Дополнительным источником подавления
ОР в ПМВ служит сильное экранирование свободными носителями, в меру большого числа точек
Вейля и, как правило, несобственного характера равновесного заполнения одной из групп.
Интересной особенностью ОР в ПМВ является невзаимность межгрупповых процессов. Например,
для случая изотропной дисперсии в группах W1 и W2 при соотношении между вейлевскими
скоростями 12 vv точки W1 геометрически защищены от межгруппового канала рекомбинации [2].
Для количественного описания ОР в ПМВ мы использовали метод Зипа-Мокера [4], в рамках
которого свели выражения для темпа ОР к произведению геометрического и статистического
факторов. Проведенные расчеты показали возможность практического формирования долгоживущей
межзонной инверсии населенностей в геометрически защищенной группе W1 ПМВ типа TaAs. Показано, что время релаксации долгоживущей части распределения может достигать
нескольких наносекунд, что дает надежду на возможность реализации терагерцового лазера на ПМВ.
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS
Reference4 articles.
1. N.P. Armitage et al., Rev. Mod. Phys. 90, 015001 (2018).
2. A.N. Afanasiev, A.A. Greshnov, D. Svintsov, Phys. Rev. B 99, 115202 (2019).
3. G. Alymov et al., Phys. Rev. B 97, 205411 (2018).
4. O. Ziep and M. Mocker, Phys. Status Solidi B 98, 133 (1980).