Abstract
В широких QW HgTe/Cd(Hg)Te с инвертированной зонной структурой (dQW 18нм) возникает
новая двумерная электронная система: фаза двумерного полуметалла (2D SM) [1, 2]. Существование
2D SM в этой системе связано с перекрытием на несколько мэВ минимума зоны проводимости в
центре зоны Бриллюэна с боковыми максимумами валентной зоны Расчет структуры энергетических
зон [2] показывает, что основной причиной перекрытия в широких QW является деформация,
обусловленная несоответствием постоянных решетки HgTe и CdTe.
В области SM, когда уровень Ферми пересекает как валентную зону, так и зону проводимости,
в HgTe QW наблюдается ряд интересных транспортных свойств, обусловленных сосуществованием
2D электронов и дырок [3-7]. Численные расчеты эффективной массы дырок валентной зоны
(подзоны H2) для сильной анизотропии спектра (учет гофрировки; асимметрии границ квантовой
ямы и различия их размытия) в квазиклассическом приближении выполнены в [8].
В данной работе мы представляем результаты квазиклассических расчетов эффективной массы,
а также спектра уровней Ландау валентной зоны QW HgTe с инвертированной зонной структурой в
модели «петли экстремумов» с учетом эффектов гофрировки.
Учет анизотропии )( || k v приводит к более сложному виду изоэнергетических контуров вблизи
потолка валентной зоны H2. Картина линий постоянной энергии валентной зоны с учетом
гофрировки такова: при малых энергиях основными состояниями дырок становятся четыре
максимума, смещенные из центра зоны Бриллюэна в направлениях 1;1 , а в направлениях
1;0 и 0 ;1 находятся четыре седловые точки.
При энергиях ниже седловых точек изоэнергетические контуры приобретают вид
деформированных («гофрированных») колец, и мы имеем «петлю экстремумов», когда максимумы
энергии дырок достигаются на гладкой замкнутой кривой в пространстве импульсов. В целом эффект
гофрировки приводит к аномальной зависимости mc() с логарифмической расходимостью в
седловых точках и, как следствие, к сложному виду картины уровней Ландау. В полуметаллической
фазе веер уровней Ландау валентной зоны стартует при B = 0 с энергии, соответствующей энергии
боковых максимумов этой зоны, и перекрывается с веером уровней Ландау зоны проводимости.
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS
Reference8 articles.
1. Z. Kvon, E. Olshanetsky, D. Kozlov, et al., JETP Lett. 87, 502 (2008).
2. Z. D. Kvon, E. B. Olshanetsky, E. G. Novik, et al., Phys. Rev. B 83, 193304 (2011).
3. G.M.Gusev, E.B.Olshanetsky, Z.D.Kvon, et al., Phys. Rev. Lett, 104, 166401 (2010).
4. M. Zholudev, F. Teppe, M. Orlita, et al., Phys. Rev. B 86, 205420 (2012).
5. M. Zholudev, A. V. Ikonnikov, F. Teppe, et al., Nanoscale Research Letters, 7, 534 (2012).