Abstract
В квазиодномерных проводниках при приложении
напряжения выше порогового волна зарядовой плотности
(ВЗП) может двигаться, внося вклад в нелинейную
проводимость. При воздействии на ВЗП СВЧ поля
наблюдаются интерференционные явления – ступеньки
Шапиро (СШ), являющиеся мощным инструментом для
исследования ВЗП: по степени синхронизации ВЗП можно
судить о её когерентности. Кроме того, ток ВЗП (IВЗП)
первой СШ дает информацию о плотности заряда ВЗП nc.
Данный доклад посвящён исследованию свойств ВЗП
в области пайерлсовского перехода, природа которого до
сих пор дискутируется. В качестве объекта исследований
выбрано соединение NbS3-II, одна из ВЗП в котором
образуется при Tp360 К и отличается высокой
когерентностью [1]. Нам удалось наблюдать СШ вплоть до
T=Tp и даже выше. При стандартном определении IВЗПIV(0), где (0) – линейная проводимость, nc падает при
TTp. Оказалось, что nc 1-exp(-(T)/T), где (T) изменяется согласно теории БКШ. Однако можно предположить,
что ВЗП вблизи Tp вносит флуктуационный вклад в (0) [2].
Тогда IВЗП=I-V, где можно найти, экстраполируя (0) из области низких температур: exp(-
/T), =2000 К. В этом случае получаем nc=const вплоть до T=Tp.
Вклад ВЗП в (0) может быть связан с термоактивированным крипом ВЗП [3], либо со
спонтанным проскальзыванием фазы (СПФ) ВЗП. В результате СПФ вблизи Tp может возникать
смесь нормальной и пайерлсовской фаз; при этом СПФ не даёт вклад в нелинейную проводимость.
Помимо этого, СПФ может стимулировать локальный крип ВЗП, давая вклад как в (0), так и в
нелинейную проводимость [2].
Исследование ВАХ образцов сечением менее или порядка 10-3 мкм2 показало, что в них вблизи
Tp происходит размытие порогового поля. При этом nc(T) нельзя описать, используя формулу БКШ.
Очевидно, в таких образцах СПФ происходит во всём сечении, приводя к крипу ВЗП. В более
толстых образцах СПФ происходит как крип дислокаций и вносит только омический вклад в
проводимость. Во всех случаях полученный вторым способом результат nc=const демонстрирует
сохранение общего числа электронов в свободном и коллективном состояниях.
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS