Индуцированные микроволновым излучением осцилляции сопротивления в двумерном электронном газе с одномерной периодической модуляцией / Быков А.А., Стрыгин И.С., Горан А.В., Калагин А.К., Родякина Е.Е., Латышев А.В.

Abstract

Изучено влияние микроволнового излучения на низкотемпературный магнетотранспорт двумерных электронов в одномерных латеральных сверхрешетках, изготовленных на основе селективно-легированных гетероструктур GaAs/AlAs [1-3]. Одномерная потенциальная модуляция двумерного электронного газа осуществлялась при помощи серии металлических полосок, сформированных на поверхности мостиков Холла и проявлялась в магнитном поле в виде соизмеримых осцилляций сопротивления [4-7]. Обнаружено, что под действием микроволнового излучения сопротивление двумерного электронного газа в исследуемых сверхрешетках изменяется в минимумах соизмеримых осцилляций более существенно, чем в максимумах. Полученные экспериментальные данные демонстрируют «интерференцию» соизмеримых осцилляций магнетосопротивления и осцилляций, индуцированных микроволновым излучением [8, 9]. Показано, что состояния с нулевым сопротивлением возникают в двумерном электронном газе с одномерной периодической модуляцией в минимумах соизмеримых осцилляций сопротивления [10]. Полученные экспериментальные результаты качественно объясняются ролью зон Ландау в микроволновой фотопроводимости двумерного электронного газа с одномерной периодической модуляцией при больших факторах заполнения.