Abstract
СВЧ-отклик двумерного электронного газа
активно исследуется на протяжении последних
лет [1]. Большинство исследований,
посвящённых влиянию СВЧ-излучения на
двумерный электронный газ, были проведены в
условиях однородного магнитного поля. В
неоднородном же магнитном поле ситуация
сильно меняется – изменяется энергетический
спектр ДЭГ и возникают новые траектории
движения электронов[2, 3]. Наша работа
посвящена исследованию влияния СВЧизлучения на магнетотранспорт ДЭГ в градиенте
магнитного поля в баллистическом режиме.
СВЧ-излучение может вносить изменения в
траектории движения электронов, что, в свою
очередь, приводит к отклику в магнетосопротивлении ДЭГ. Мы предполагаем, что влияние СВЧизлучения на траектории движения электронов в баллистическом режиме транспорта будет более
заметно, чем в диффузионном. Поэтому в нашей работе использовались образцы с холловскими
мостиками шириной заведомо меньшей, чем длина свободного пробега (~8 мкм) в исследуемой
структуре. Градиент магнитного поля формировался за счёт использования цилиндрических
оболочек с ДЭГ, т.к. двумерные электроны чувствительны только к нормальной компоненте
магнитного поля. Измерения нелокального сопротивления подтвердили наличие баллистического
режима транспорта.
Представлены результаты эксперимента на свёрнутой оболочке с шириной холловского мостика 4 мкм. В отсутствие микроволнового излучения в зависимости RXX(B) наблюдаются
осцилляции Шубникова-де Гааза. При подаче СВЧ-излучения происходит уменьшение
магнетосопротивления в магнитных полях больше 1.5 Тл и сильное затухание амплитуды одного из
пиков в магнитном поле около 3 Тл. Ранее, при исследовании магнетосопротивления ДЭГ в
цилиндрических оболочках в диффузионном и квази-баллистическом режимах транспорта подобный
эффект не наблюдался. Примечательно, что в нашем эксперименте микроволновый отклик
наблюдался в сравнительно сильном магнитном поле, в то время как обычно связанные с
микроволнами эффекты наблюдались в малых полях. Возможно, это обусловлено уменьшением
нормальной компоненты магнитного поля вследствие изгиба оболочки. Таким образом, показано
существенное отличие СВЧ-отклика ДЭГ в цилиндрических оболочках в баллистическом режиме
транспорта от СВЧ-отклика в диффузионном режиме.
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS