Precise Control of Charge Injection, Fatigue, Wake-Up and Break-Down in Hf₀.₅Zr₀.₅O₂-Based Ferroelectric Memories

Author:

Liu Nannan,Luo Chunlai,Wu Hongdi,Ding Yecheng,Lu Xubing,Yan Zhibo,Liu Jun-Ming,Yuan Guoliang

Publisher

Elsevier BV

Reference58 articles.

1. Orientation independent growth of uniform ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 thin films on silicon for high-density 3D memory applications;C Liu;Adv. Funct. Mater,2022

2. HfO 2 -based ferroelectrics: From enhancing performance, material design, to applications;H Y Chen;Appl. Phys. Rev,2022

3. The future of ferroelectric field-effect transistor technology;A I Khan;Nat. Electron,2020

4. Ferroelectric materials for neuromorphic computing;S Oh;Appl. Phys. Lett. Mater,2019

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