On the Absorption Coefficient of Gap1-Xnx Layers and its Potential Application for Silicon Photovoltaics
Author:
Publisher
Elsevier BV
Reference29 articles.
1. Highly mismatched semiconductor alloys: from atoms to devices;W Walukiewicz;J. Appl. Phys,2020
2. Nature of the fundamental band gap in GaN x P 1-x alloys;W Shan;Appl. Phys. Lett,2000
3. Growth modes and chemical-phase separation in GaP 1-x N x layers grown by chemical beam epitaxy on GaP/Si(001);K Ben Saddik;J. Appl. Phys,2023
4. A growth diagram for chemical beam epitaxy of GaP 1-x N x alloys on nominally (001)-oriented GaP-on-Si substrates;K Ben Saddik;APL Mat,2021
5. Growth of GaP 1 -x -y As y N x on Si substrates by chemical beam epitaxy;K Ben Saddik;J. Appl. Phys,2019
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