Fabrication of Bilayer FTO/YZO/PMMA/Al Memory Devices with Insight Ternary Switching Mechanism

Author:

SKS Anirudh Kumar,Singh Satendra Pal,Lee Sejoon,Sharma Sanjeev K.

Publisher

Elsevier BV

Reference51 articles.

1. ZnO-based hybrid nanocomposite for high-performance resistive switching devices: Way to smart electronic synapses;A Kumar;Materials Today,2023

2. Pseudohalide-induced 2D (CH3NH3) 2PbI2 (SCN) 2 perovskite for ternary resistive memory with high performance;X F Cheng;Small,2018

3. Multi-level resistive write-once-read-many memory device based on CdSe/ZnS quantum dots and ZnO nanoparticles;N.-R Kim;Thin Solid Films,2020

4. A low-temperature-grown TiO2-based device for the flexible stacked RRAM application;H Y Jeong;Nanotechnology,2010

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