First-Principles Study on Thermal Transport Properties of Gan Under Different Cross-Plane Strain
Author:
Publisher
Elsevier BV
Reference48 articles.
1. Near-junction microfluidic cooling for GaN HEMT with capped diamond heat spreader;H Zhang;Int. J. Heat Mass Tran,2022
2. The impact of surface states on the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HFETs;R Vetury;IEEE T. Electron Dev,2001
3. Recent advances in GaN transistors for future emerging applications;M Yanagihara;physica status solidi,2009
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