Revealing the Charge State of Dislocations in Indium Nitride Through Advanced Atomic Force Microscopy

Author:

Loo Chin Chyi,Ng S.S.,Chang Wei-Sea

Publisher

Elsevier BV

Reference73 articles.

1. Band gap of hexagonal InN and InGaN alloys;V Y Davydov;Phys. Status Solidi B,2002

2. Unusual properties of the fundamental band gap of InN;J Wu;Appl. Phys. Lett,2002

3. When group-III nitrides go infrared: New properties and perspectives;J Wu;J. Appl. Phys,2009

4. Near infrared electroluminescence from n-InN/p-GaN light-emitting diodes;G.-G Wu;Appl. Phys. Lett,2012

5. Near infrared electroluminescence from p-NiO/n-InN/n-GaN light-emitting diode fabricated by PAMBE;Y Zhao;J. Lumin,2017

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