Abstract
Các nano tinh thể (NC) bán dẫn có cấu trúc lõi/vỏ ZnTe/ZnSe và lõi/vỏ/vỏ ZnTe/ZnSe/ZnS được chế tạo thành công bằng phương pháp hóa ướt trong dung môi ODE. Cấu trúc tinh thể, đặc trưng phonon và các tính chất quang học của các NC được khảo sát thông qua giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD), phổ tán xạ Raman (RS), phổ huỳnh quang (PL), thời gian phân rã PL, và phổ hấp thụ (Abs). Sự phát triển của các lớp vỏ ZnSe trên lõi ZnTe và lớp vỏ ZnS trên các NC ZnTe/ZnSe được chứng minh thông qua giản đồ XRD và tán xạ RS. Kết quả quan sát từ giản đồ XRD cho thấy tất cả các NC chế tạo được đều kết tinh ở cấu trúc lập phương. Lớp vỏ ZnS đã tăng cường đáng kể hiệu suất lượng tử (QY) của các NC ZnTe/ZnSe. Ảnh hưởng của công suất kích thích lên các tính chất phát xạ của các NC ZnTe, ZnTe/ZnSe và ZnTe/ZnSe/ZnS đã được nghiên cứu và giải thích chi tiết.
Publisher
Academy of Military Science and Technology