Semiclassical Transport Theory of Charge Carriers, Part I
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IGI Global
Reference95 articles.
1. A comparison of numerical solutions of the Boltzmann transport equation for high-energy electron transport silicon
2. Optimized norm-conserving Hartree-Fock pseudopotentials for plane-wave calculations
3. Electron and hole mobilities in silicon as a function of concentration and temperature
4. Aubert, J-P., Vassiere J-C. & Nougier, J-P. (1984). Matrix determination of the stationary solution of the Boltzmann Equation for Hot Carriers in Semiconductors. J. Appl. Phys., 56(4), 1128-1132.
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