Abstract
Представлені результати розроблення вбудованої системи змішаного сигнального перетворення фотоелектричних сенсорних пристроїв. Базовими вузлами вхідного сигнального тракту фотоелектричних сенсорних пристроїв є перетворювачі “фотострум-напруга” на основі трансімпедансних підсилювачів та частотноселективні кола навантаження фотодіодних структур на основі безіндуктивних гіраторів. Особливістю трактів такого типу є пряме перетворення вихідного струму сенсора в напругу із забезпеченням необхідних критеріїв формування сигналу. Представлені результати параметричного аналізу трансімпедансних підсилювачів та частотноселективних кіл навантаження на основі гіраторів. Аналіз проведено з використанням спеціалізованих моделей в середовищі SPICE. Реалізація експериментального прототипу вбудованої системи фотоелектричних сенсорних пристроїв здійснена на основі PSoC (Programmable System on Chip) 5LP Cypress Semiconductor.
Publisher
Ivan Kozhedub Kharkiv National Air Force University KNAFU