Site occupation and electronic structure of an interstitial Mn2+impurity in GaP
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
Condensed Matter Physics,General Materials Science
Link
http://stacks.iop.org/0953-8984/7/i=17/a=009/pdf
Reference25 articles.
1. Jahn-Teller effect forFe2+in III-V semiconductors
2. Jahn-Teller effect in the4T1state ofMn2+in GaP
3. Electronic structure of the neutral manganese acceptor in gallium arsenide
4. Electronic structure of transition-atom impurities in semiconductors: Substitutional3dimpurities in silicon
5. Level positions of interstitial transition-metal impurities in silicon
1.学者识别学者识别
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