Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al${}_{2}$O${}_{3}$ Dielectric
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/34/5/057301/pdf
Reference12 articles.
1. Performance enhancement of n-channel inversion type InxGa1−xAs metal-oxide-semiconductor field effect transistor using ex situ deposited thin amorphous silicon layer
2. 0.8-V Supply Voltage Deep-Submicrometer Inversion-Mode $\hbox{In}_{0.75}\hbox{Ga}_{0.25}\hbox{As}$ MOSFET
3. Photoluminescence and secondary ion mass spectrometry investigation of unintentional doping in epitaxial germanium thin films grown on III-V compound by metal-organic chemical vapor deposition
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