The behavior of H at the amorphous semiconductor multilayer interfaces
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/5/2/001/pdf
Reference7 articles.
1. Infrared spectroscopy of interfaces in amorphous hydrogenated silicon/silicon nitride superlattices
2. Electronic states at the hydrogenated amorphous silicon/silcon nitride interface
3. Evidence for Lattice-Mismatch—Induced Defects in Amorphous Semiconductor Heterojunctions
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1. The hydrogen confinement and pipe diffusion in a-Si:H/a-Si3N4:H multilayer;Journal of Non-Crystalline Solids;1991-01
2. effect of nitrogen content in a-Si:H/a-SiNx:H multilayers on conductive mechanism;Chinese Physics Letters;1990-11
3. Annealing dependence of PDS of a-Si:H/a-SiNx:H multilayers;Journal of Non-Crystalline Solids;1989-12
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