Ge Complementary Tunneling Field-Effect Transistors Featuring Dopant Segregated NiGe Source/Drain
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/35/11/117201/pdf
Reference33 articles.
1. High-Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using $\hbox{HfO}_{2}/\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}/\hbox{GeO}_{x}/\hbox{Ge}$ Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation
2. Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
3. Low-Voltage Tunnel Transistors for Beyond CMOS Logic
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Research on Digital Vehicle Inverter Power Supply;Lecture Notes in Electrical Engineering;2022
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