Measurement and Analysis of Composition and Depth Profile of H in Amorphous Si 1− x C x :H Films
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/25/7/095/pdf
Reference18 articles.
1. Large‐band‐gap SiC, III‐V nitride, and II‐VI ZnSe‐based semiconductor device technologies
2. Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review
3. Silicon carbide MEMS for harsh environments
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5. SiC materials-progress, status, and potential roadblocks
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