A Novel Interface-Gate Structure for SOI Power MOSFET to Reduce Specific On-Resistance
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/32/9/098502/pdf
Reference26 articles.
1. An analytical model for breakdown voltage of surface implanted SOI RESURF LDMOS
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1. A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p+-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode;Chinese Physics B;2023-04-01
2. Low Specific On-Resistance SOI LDMOS with Non-Depleted Embedded P-Island and Dual Trench Gate;Chinese Physics Letters;2018-03
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