1. Voitsekhovskii, A.V., Gorn, D.I., Izhnin, I.I., et al., Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved.: Fiz., 2012, no. 8, pp. 50–55.
2. Feldman, R.D., Cesar, C.L., Islam, M.N., et al., J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, vol. 7, no. 2, pp. 431–434.
3. Monterrat, E., Ulmer, L., Magnea, N., et al., Semicond. Sci. Technol., 1993, vol. 8, pp. S261–S265.
4. Tonheim, C.R., Selvig, E., Nicolas, S., et al., J. Phys.: Conf. Ser., 2008, vol. 100, p. 042024.
5. Breivik, M., Selvig, E., Tonheim, C.R., et al., J. Phys.: Conf. Ser., 2008, vol. 100, p. 042041.