Affiliation:
1. ТОО «Физико-технический институт» Сатбаев Университет
Abstract
Рассмотрена энергетика 3d-нанокристаллитов пористого кремния nc-PS применительно к процессам низкотемпературного синтеза пленок графеноподобных нанокомпозитов. Показано, что энергетика nc-PS обусловлена избыточной поверхностной энергией нанокристаллитов пористого Si и наноразмерными эффектами, возникающими на локальных участках атомарно-шероховатой поверхности PS. Самоорганизация наноразмерных систем пор с образованием периодически упорядоченных структур на реальной поверхности пористого Si определяется квантовыми эффектами, которые обусловлены шероховатостью поверхности в виде атомных ступеней, выступов и определяют появление дальнодействующих, капиллярно-упругих сил поверхности. Помимо дальнодействующих поверхностных капиллярно-упругих сил, важную роль играют дефектно-деформационные силы границы интерфейса нанокристалл/матрица монокристаллического кремния, которые являются, по существу, граничными условиями мета-поверхностей двумерного (2DM) и квазидвумерного (Q2DM) материалов, которые резко изменяют физические свойства кристаллических решеток матрицы Si. В статье рассмотрены особенности этих сил и их влияние на энергетику низкотемпературного синтеза графеноподобных углеродных нанокомпозитов на поверхности пористого кремния.
Reference90 articles.
1. А.К. Geim, К.S. Novoselov. The rise of graphene. Nature Materials. 2007, 6 (2) 183–191.
2. Bum Jun Kim, Tuqeer Nasir, Jae-Young Choi. Direct Growth of Graphene at Low Temperature for Future Device Applications // Journal of the Korean Ceramic Society. 55 (3) 203–223, 2018.
3. А.Ф. Андреев, А.Я. Паршин. О равновесной форме и колебаниях поверхности квантовых кристалов // ЖЭТФ, 1978, 75(4), 1511.
4. В.И. Марченко, А.Я. Паршин. Об упругих свойствах поверхности кристаллов // ЖЭТФ, 1980, 79(1), 257.
5. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, М.В. Максимов, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах // УФН, 1996, 166(4), 423–428.