Affiliation:
1. АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)
2. МФТИ (НИУ)
Abstract
Обзорная статья посвящена мемристорным структурам с пористыми материалами в качестве буферного слоя. Использование дополнительного пористого материала к основному переключающему слою позволяет уменьшить разброс рабочих параметров мемристора, увеличить количество циклов переключения и стабильность высокоомных и низкоомных состояний.
Reference82 articles.
1. Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Красников А.Г. Современное состояние разработок в области энергонезависимой памяти // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 4. Т. 177. с. 60–64.
2. Zhu J.D., Zhang T., Yang Y.C., Huang R. A comprehensive review on emerging artificial neuromorphic devices // Applied Physics Reviews. 2020. V. 7. № 1. P. 011312.
3. Yu C., Cai J.C., Zhu L.Q., Sheikhi M. [et al.]. Artificial tactile perceptual neuron with nociceptive and pressure decoding abilities // ACS Applied Materials U+0026amp; Interfaces. 2020. V. 12. 23. P. 26258–26266.
4. Zhu L.Q., Wan C.J., Guo L.Q., Shi Y. [et al.]. Artificial synapse network on inorganic proton conductor for neuromorphic systems // Nature Communications. 2014. V. 5. № 3158.
5. Zhang X.Z., Huang A.P., Hu Q., Xiao Z.S. [et al.]. Neuromorphic computing with memristor crossbar // Physica Status Solidi A. 2018. V. 215. № 13. P. 1700875.
Cited by
1 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献