СУБТРАКТИВНЫЙ ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ-Reference-Cited by-同舟云学术

СУБТРАКТИВНЫЙ ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ

Published:2023 Issue:3 Volume: Page:44-58
ISSN:2410-9932
Container-title:Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника
language:ru
Short-container-title:Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника

Author:

Резванов А.А.¹,Серегин Д.С.²,Гвоздев В.А.³,Вишневский А.С.²,Кузнецов П.И.⁴,Морозов Е.Н.⁵,Воротилов К.А.²,Горохов С.А.¹

Affiliation:

1. АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)

2. Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики

3. Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ)

4. Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Россия, 141190, Фрязино Московской обл., пл. Введенского, 1

5. НИИСИ РАН

Abstract

Исследован субтрактивный процесс создания системы металлизации интегральных схем. В качестве модельных использованы структуры с алюминиевыми и медными проводниками, имеющие различный шаг. Заполнение зазоров между проводниками проводилось методом химического осаждения из раствора. Сформированные органосиликатные слои обеспечивали полную или частичную планаризацию рельефа. Электрические измерения свидетельствовали о снижении ёмкости и токов утечек в структурах с нанопористыми диэлектрическими слоями.

Publisher

Akademizdatcenter Nauka

Reference37 articles.

1. Baklanov M.R., Ho P.S. and Zschech E. Advanced interconnects for ULSI technology. Wiley, 2012.

2. Li J., Seidel T.E. and Mayer J.W. Copper-Based Metallization in ULSI Structures: Part II: Is Cu Ahead of Its Time as an On-Chip Interconnect Material // MRS Bulletin. 1994. V. 19. P. 15-21. EDN: BHHUSG

3. Andricacos P.C., Uzoh C., Dukovic J.O., Horkans J., Deligianni H. Damascene copper electroplating for chip interconnections // IBM J. Res. Develop. 1998. V. 42. P. 567-574.

4. Валеев А.С., Красников Г.Я., Гвоздев В.А., Кузнецов П.И. Способ изготовления многоуровневой медной металлизации с ультранизким значением диэлектрической постоянной внутриуровневой изоляции // Патент на изобретение RUS2548523 17.12.2013. EDN: YQQTLF

5. Zhang L., de Marneffe J.-F., Heylen N., Murdoch G., Tokei Z., Boemmels J., De Gendt S., Baklanov M.R. Damage free integration of ultralow-k dielectrics by template replacement approach // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 107. P. 092901. EDN: VESWBD