ПОВЫШЕНИЕ СТОЙКОСТИ КМОП КНИ МИКРОСХЕМ К ДОЗЕ РАДИАЦИИ МЕТОДОМ ПОДАЧИ НА ПОДЛОЖКУ УПРАВЛЯЕМОГО ОТРИЦАТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"-Reference-Cited by-同舟云学术

ПОВЫШЕНИЕ СТОЙКОСТИ КМОП КНИ МИКРОСХЕМ К ДОЗЕ РАДИАЦИИ МЕТОДОМ ПОДАЧИ НА ПОДЛОЖКУ УПРАВЛЯЕМОГО ОТРИЦАТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Published:2022 Issue:2 Volume: Page:60-68
ISSN:2410-9932
Container-title:Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника
language:ru
Short-container-title:Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника

Author:

Рыбалко Е.С.¹,Мещанов В.Д.¹,Шелепин Н.А.¹,Лагаев Д.А.²

Affiliation:

1. ООО «НИИМЭ-МД»

2. АО «НИИМЭ»; НИУ «МИЭТ»

Abstract

Рассмотрено влияние отрицательного напряжения, подаваемого на подложку КМОП КНИ микросхем, на их радиационно-индуцированный ток утечки. Предложена методика ограничения радиационно-индуцированного тока утечки управляемым отрицательным напряжением смещения подложки. Рассмотрены особенности конструкции генератора управляемого напряжения смещения подложки, предназначенного для использования в составе микросхем с повышенной радиационной стойкостью. Приведены результаты исследования образцов КМОП КНИ микросхем, показывающие эффективность применения генератора управляемого напряжения.

Publisher

Akademizdatcenter Nauka

Reference12 articles.

1. Schwank J.R., Ferlet-Cavrois V., Shaneyfelt M.R., Paillet P., Dodd P.E. Radiation effects in SOI technologies // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2003. Т. 50. No 3. P. 522–538.

2. Красников Г.Я., Мещанов В.Д., Шелепин Н.А. Семейство микросхем ПЗУ информационной ёмкостью 4-64 Мбит для космических применений // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2015. № 2(158). С. 4–10.

3. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: Радио и связь, 1994. С. 35–47.

4. Colinge J.P. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, 3rd Edition // Springer Science U+0026amp; Business Media New York. 2004.

5. Селецкий А.В., Шелепин Н.А. Проектирование и разработка элементов КМОП СБИС, предназначенных для функционирования в условиях воздействия космических ионизирующих излучений // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2016. № 2(162). С. 39–45.