A SURVEY OF NOISE FIGURE RESPONSE TO OPERATING MODES IN GAN HEMT TRANSISTORS.-Reference-Cited by-同舟云学术

A SURVEY OF NOISE FIGURE RESPONSE TO OPERATING MODES IN GAN HEMT TRANSISTORS.

Published:2023 Issue:3 Volume: Page:37-43
ISSN:2410-9932
Container-title:Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника
language:ru
Short-container-title:Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника

Author:

Чаплыгин Ю.А.¹,Лосев В.В.¹,Хлыбов А.И.²,Родионов Д.В.³,Котляров Е.Ю.⁴,Егоркин В.И.⁵

Affiliation:

1. НИУ МИЭТ

2. Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

3. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

4. АО «НИИМЭ»; НИУ «МИЭТ»

5. Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, 124498, Москва, Россия

Abstract

This paper contain experimental results for GaN HEMT noise figure and gain as functions of operating mode for L-band (1-2 GHz). It was pointed that minimum noise figure values (less than 1 dB) was measured for 2.5-5.5 V drain voltage and density current 40-80 mA/mm. Minimum noise figure (NFmin) was less than 0.G5 dB.

Publisher

Akademizdatcenter Nauka

Reference10 articles.

1. Patrick Ettore Longhi. et al. Technologies, Design, and Application of Low-Noise Amplifiers at Millimetre-Wave: State-of-the-Art and Perspectives // MDPI Electronics. 2019. #8,. DOI: 10.3390/electronics8111222

2. O. Kazan. GaN-Based Robust Low-Noise Amplifier // Ms. S. Thesis, The Graduate School of Natural and Applied Science of Middle East University, 2018.

3. G.Ya. Krasnikov, P.V. Panasenko, A.V. Volosov. Engineering and Technology Philosophy of Designing Next-Generation Microwave Components Based on State-of-the-Art 3D Silicon Microelectronic Technologies [Конструктивно-технологические принципы создания СВЧ элементной базы нового поколения на основе объемных технологий современной кремниевой микроэлектроники] // Elektronnaya Tekhnika. Series 3: Microelectronics. 2016. Issue 3(163). pp. 10-22. EDN: WYQYRV

4. M.V. Kuliyev. A Survey of State-of-the-Art GaN Transistors and Their Development Directions [Обзор современных GaN транзисторов и направления развития] // Elektronnaya Tekhnika. Series 2: Semiconductor Devices. Issue 2 (245). 2017, pp. 18-28.

5. M.Rudolph. GaN HEMTs for low-noise amplification status and challenges // in 2017 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC), April 2017, pp. 1-4.