Theorie des Sperrschicht-Photoeffekts

Abstract

Abstract Es wird eine Theorie des Sperrschicht-Photoeffekts gegeben, die sich auf die folgenden Annahmen stützt: 1.Der Halbleiter ist ein Störstellen-Halbleiter. 2.Durch die Übertrittsarbeit Metall/Halbleiter ist eine bestimmte Konzentration der Elektronen und Defektelektronen im Halbleiter an der Metallgrenze festgelegt, die sich bei Belichtung nicht ändert. 3.Durch Lichtabsorption werden im Grundgitter Paare von Elektronen und Defektelektronen ausgelöst. Es werden Differentialgleichungen aufgestellt, die den Zusammenhang zwischen Photo- Ström und -Spannung, Beleuchtungsstärke, Lichtfrequenz und den Eigenschaften von Halbleiter und Elektrode enthalten. Bei Defekthalbleitern, wie z. B. Selen und Kupferoxydul, Hießen die durch Lichteinstrahlung in der Sperrschicht ausgelösten Elektronen stets zur Elektrode, und die Defektelektronen im Fall der Leerlaufspannung ebenfalls zur Elektrode, im Fall des Kurzschlußstroms in den Halbleiter. Praktisch ausschließliche Überschußhalbleitung oder praktisch ausschließliche Defekthalbleitung und Bildung von Elektronen und Defektelektronen durch Lichtabsorption sind notwendige Bedingungen für einen nennenswerten Sperrschicht-Photoeffekt.