Über neue halbleitende Verbindungen

Abstract

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Nachbildung der halbleitenden Elemente der vierten Hauptgruppe1 des periodischen Systems (Diamant, Si, Ge, graues Sn) durch bisher nicht als Halbleiter bekannte Verbindungen von Elementen der dritten Hauptgruppe (Al, Ga, In) mit Elementen der fünften Hauptgruppe (P, As, Sb). Infolge der quantenmechanischen Resonanz zwischen homöopolarem und heteropolarem Bindungsanteil lassen sich Voraussagen über die Halbleitereigenschaften dieser Verbindungen machen, die mit den Experimenten in gutem Einklang sind. Es zeigt sich dabei, daß diese Verbindungen in einigen Eigenschaften noch weit über die Elemente der vierten Gruppe hinausgehen. Z. B. werden bei In Sb Elektronenbeweglichkeiten bis zu 25000 cm2/Volt sec gemessen.