Affiliation:
1. 1Aus dem Institut für technische Physik der Technischen Hochschule Braunschweig
Abstract
Die dreiwertigen Telluride der Elemente Indium und Gallium kristallisieren im Zinkblendegitter, wobei ein Drittel aller Plätze der Metallatome unbesetzt bleibt. Bei Versuchen, diese Lückenkonzentration im Ga2Te3 durch Zugabe kleinster Cu-Mengen von 10–6 bis 10–1 Atom-% (bezogen auf die Zahl der Ga-Atome) zu verändern, wird eine unerwartete Beeinflussung der kristallographischen und elektronischen Struktur dieses Stoffes gefunden. Cu-Konzentrationen unter 8·10–6 Atom-% verursachen eine lineare Gitterdehnung ≦ 2,7%, die röntgenographisch nachweisbar ist und sekundär zu einer Verringerung der Eigenleitungsaktivierungsenergie bis zu 0,86 eV im Vergleich zu 1,55 eV im unverspannten Gitter führt. Bei Cu-Zusätzen ≧ 10–5 Atom-% kann aus elektrischen und röntgenographischen Untersuchungen neben einer weiteren Gitterdehnung auch das Auftreten einer neuen Kristallphase eindeutig ermittelt werden. Die experimentellen Ergebnisse dieser ungewöhnlichen strukturellen Veränderungen durch die Dotierung eines Halbleiters in dem angegebenen Fremdstoffkonzentrationsbereich werden im Zusammenhang mit den elektrischen und optischen Eigenschaften dieser Verbindung diskutiert.
Subject
Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics
Cited by
7 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献