Untersuchungen über die elektrischen Eigenschaften von Cadmiumselenid

Author:

Dolega U.1

Affiliation:

1. Standard Elektrik Lorenz AG, Geschäftsbereich Bauelemente

Abstract

Es wird über die Untersuchungen der elektrischen Eigenschaften von CdSe berichtet, wobei besonders der Einfluß einer Thalliumdotierung im Vordergrund stand. Die durch gleichzeitiges Aufdampfen von Cd und Se hergestellten polykristallinen Schichten zeigen einen starken Cd-Überschuß. Eine Chlordotierung bis zu 150 g/t läßt keinen Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften erkennen. Geringe Tl-Dotierungen erhöhen den spezifischen Widerstand von CdSe sehr stark, hohe Tl-Dotierungen setzen ihn wieder herab, wobei das CdSe ein n-Leiter bleibt. Für die effektive Zustandsdichte im Leitungsband wird Nc= 1,1 · 1018 cm-3 und für die effektive Masse der Leitungselektronen mn*/m = 0,13 gefunden.

Publisher

Walter de Gruyter GmbH

Subject

Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics

Cited by 9 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Physics Basis of Organic Semiconductor Heterojunctions;Organic Semiconductor Heterojunctions and Its Application in Organic Light-Emitting Diodes;2017

2. Photoconductivity, structure and defect levels in CdSe crystals;Journal of Crystal Growth;1982-09

3. Stoichiometry and phase composition of vacuum deposited films of AIIBVI compounds;Journal of Crystal Growth;1974-10

4. Relative stability of zincblende and wurtzite structure in AIIBVI-compounds;Kristall und Technik;1971

5. Electric Conductivity and Hall Effect in Evaporated Cadmium Selenide Films;physica status solidi (b);1969

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3