Abstract
Abstract In der vorliegenden Arbeit ist der Versuch unternommen worden, die bei der Formie-rung und Lagerung von Selen-Sperrschicht-Gleichrichtern auftretenden Erscheinungen durch eine Verlagerung von Störstellen in der Randschicht und ihre Abwanderung in die Deckelektrode zu erklären. Es wird gezeigt, daß unter diesen Voraussetzungen mit Hilfe der Sch o 11 k y sehen Randschichttheorie eine qualitative Behandlung der bei Versuchen aufgefundenen Effekte, von denen eine Anzahl diskutiert werden, möglich ist. U ber die Arbeitsweise der
Subject
Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics
Cited by
7 articles.
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